净化工程设计—净化工程含有哪些设计

　　我们在日常生活中了解到了一些污染问题，水污染、噪音污染、空气污染等等。今天我们先来聊一下空气污染的问题。空气中有很多悬浮粒子、有害气体和细菌等等。这些细微的杂物都会对身体造成一定的损害。所以小编觉得还是有必要对空气进行净化的。

净化工程设计

　　净化工程设计—净化工程设计是什么

　　在一定空间范围内，将空气中的微粒子、有害空气、细菌等污染物排除，并将室内温度、洁净度、压力、气流速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制在某一需求范围内的工程学科。净化工程所特别设计的房间，不论外在空气条件如何变化，室内均具有维持原先所设定要求之洁净度、温湿度及压力等性能。

　　净化工程设计—温湿度设计

　　洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。

　　相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清除。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产最佳湿度范围为35—45%。

　　净化工程设计—气压设计

　　对于大部分洁净空间，为了防止外界污染侵入，需要保持内部的压力(静压)高于外部的压力(静压)。压力差的维持一般应符合以下原则：

　　1.洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。

　　2.洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。

　　压力差的维持依靠新风量，这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄(或渗透)风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。

　　说到净化工程，其实是一些净化产品的放大。空气中含有的有害物质比以前多，如果人们直接吸进体内的话，日积月累下就会对身体有一定的损害。小编今天和大家分享的就是一些关于净化工程设计问题。希望大家能够在从中了解到更多关于净化工程设计的知识。

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